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| 如果你忘記伊莉的密碼,請在登入時按右邊出現的 '找回密碼'。輸入相關資料後送出,系統就會把密碼寄到你的E-Mail。 本帖最後由 Kanaru 於 2015-7-28 12:13 PM 編輯
Fury X產能提升有望, 聯華為AMD量產矽穿孔中介層AMD新一代旗艦顯卡Radeon R9 Fury X上市也有一段時間了,不過新製程的產能往往會低一些,
這款顯卡供貨不多,往後的R9 Fury以及R9 nano也將受到影響。不過現在他們迎來了好消息,
聯華電子宣布,他們的TSV穿透矽通孔技術已經進入量產階段,將可幫助AMD度過產能的難關。
TSV 穿透矽通孔技術(或者叫矽穿孔技術)主要應用於 HBM 堆棧式記憶體與中介層連接,
讓各個Die可以穿過下層的其它Die,之後再通過 μBump 微凸塊直通中介層;
除此之外,中介層也是採用同樣的技術來連接記憶體與 CPU / GPU。
從公告來看,聯華電子所負責的就是後面說的這種中介層的量產工作,
具體是其位於新加坡的12英寸特殊技術晶圓廠 Fab 12i。
不過中介層產能提上來了,接下來 AMD 還需要解決 HBM 堆棧式記憶體的產能,
這樣大家想買 R9 nano 的時候才不會對著“無貨”兩個字乾等。
======================================== 心得: 但願是如此! 不過我很少急著買新卡... 所以就算短時間無貨也沒差~不過對AMD來說有差!
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